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| CVD | CCVD | PVD | |
|---|---|---|---|
| Mechanism | 반응 기체의 화학적 반응에 의해 기판에 증착 | 연소 화학 기체 도포 | 물리적인 힘에 의해 대상 물질을 기판에 증착 |
| 종류 | PECVD, LPCVD 등등 | Evaporation, Sputtering | |
| 장점 | 다양한 물질 증착 가능 (금속, 반도체, 세라믹, 고분자 등) |
저온공정 매우 낮은 두께 제어용이 |
낮은 불순물 농도 쉬운 공정 / 공정 Mechanism |
| 고순도 기체 사용 -> 고품질 박막 형성 | 낮은 두께 박막 균일도 | 매우 빠른 증착 속도 | |
| 빠른 증착 속도 | 매우 빠른 증착 속도 | 상대적으로 깨끗하고 안전한 공정 | |
| 정밀한 공정제어 가능, 박막 안정성 우수 | 합금막 형성 용이 | ||
| 필요에 의해 박막에 doping도 가능함 | |||
| 단점 | 공정이 기판에 영향을 줄 수 있음 | 높은 불순물 농도 | 낮은 두께의 박막 제거 어려움 |
| 기판 / 박막 간의 열팽창계수 차이 -> Crack 발생 | 높은 두께의 박막 균일도가 낮음 | 느린 작업 속도 | |
| Gas 반응을 통한 핵생성 용이 : Particle | |||
| 유해 화합물 발생 : 중성화 필요 -> 비용상승 | |||
| Application | 금속, Ploy-Si, 대부분의 절연체 (산화막, 질화막 등) | 금속, 수지, 고무, 스폰지, 유리 등 모든 물질 | 일반적으로 금속 공정 |
